闪烁波长坐落于2-3m波段的高性能半导体激光光源因可以普遍应用于气体观测、超强长距离无中继通信、生物医学等领域而沦为人们研究的热点。目前，2-3m波段半导体激光器有源区材料主要使用GaSb基量子阱和InP基量子阱结构。GaSb基量子阱材料因其生长结构复杂，含Sb的四元甚至五元系由化合物生长及界面无法掌控，尤其是使用合适大规模生产应用于的MOCVD更加无以构建高质量多元锑化物的生长制取。
相比较，InP基InAs量子阱在材料制取及器件工艺制作方面具备诸多优势。除了具备高质量、低成本的衬底材料，InP基激光器因其相容传统通讯用激光器成熟期的制取工艺，且不易与其它器件构建构建等优势而具备更佳的应用于前景。 基于此，中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室杨涛研究员的课题组积极开展了InAs/InP量子阱理论计算出来及MOCVD生长制取方面的研究。
近日，顺利地解决问题了InP基外延大失配（3.2%）InAs量子阱的技术难题，取得了高质量的半导体量子阱材料。其闪烁波长构建2.0-2.5m范围高效率调节。制取的2.0m窄条激光器（6m1.5mm）构建室温倒数激射，阈值电流45mA，单面出光功率小于25mW。
制取的2.1m长条激光器（250m2mm）在脉冲流经下，出光功率多达110mW，阈值电流750mA，对应阈值电流密度较低至150A/cm2，为目前已报导该体系半导体激光器的国际先进设备水平。有关成果将在第十三届全国MOCVD学术会议上报导。 2.0m窄条激光器P-I，V-I特性曲线，插画得出了50mA流经条件下，激光器的激射序。 2.1m长条激光器P-I，V-I特性曲线，插画得出了750mA流经条件下，激光器的激射序。
涉及进展： 1、2.7微米InP基不不含锑量子阱激光器 2-3微米波段半导体激光器在光谱分析、气体检测、医学检查等方面具备最重要的应用于。InP衬底上不不含锑量子阱激光器与GaSb基不含锑量子阱激光器比起具备工艺成熟期平稳、热导率低、衬底价格低、质量好、不易取得等优点。
中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室化合物半导体方向的研究人员通过在InP衬底上使用气态源分子束外延方法生长高质量的异变缓冲器层，并在其上构筑不不含锑的InAs多量子阱结构，顺利研制出激射波长约2.7微米的激光器，这是目前国际上InP基不不含锑量子阱激光器所能构建的最久激射波长。该工作已在AppliedPhysicsLetters上公开发表，并引发国际上的普遍注目，半导体领域著名杂志SemiconductorToday也回应不作了专题报道。
2、InGaSb/AlGaAsSb突发事件量子阱激光器 近日，中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室与超强晶格国家重点实验室分子束外延（MBE）课题组合作，使用分子束外延技术生长的InGaSb/AlGaAsSb突发事件量子阱激光器，构建了高工作温度（T=80℃）倒数激射，激射波长2m出光功率63.7mW，超过国内领先水平。 中红外2-3.5m波段激光器在气体检测、环境监测、激光制导、红外对付、激光雷达等诸多领域具有十分普遍而最重要的应用于，与其它中红外波段传统半导体材料体系比起，窄带隙的InGaAsSb锑化物材料与衬底晶格给定其禁带宽度可以覆盖面积1.7到4.4m波段。
锑化物光电器件的独有优势日益受到普遍推崇沦为目前国际前沿和热点研究方向。
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